MBR10200CT_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
类别: 肖特基二极管
最小包装: 50/管装
参数1: 电流IO:10A
参数2: 电压VR:200V
参数3: 压降VF:0.84V
参数4: 反向电流IR:1uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款肖特基二极管设计用于高效率的电流管理,其最大正向电流(IF)为10安培,能够支持大电流的应用需求。反向击穿电压(VR)高达200伏特,确保了在较高电压条件下的稳定性。在5安培的正向电流条件下,该二极管展现出0.84伏特的正向压降(VF),有助于降低电力损耗。此外,在200伏特下的反向漏电流(IR)仅1微安,体现了优异的隔离性能。因此,它非常适合用于各种需要快速开关及低能耗的场合,例如高频开关电源和便携式设备充电电路中。

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