NVHL095N65S3HF-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:43A
参数2: 电压VDSS:650V
参数3: RDON:75mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至75mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景,能够稳定应对较高的电压瞬变。低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热,提高整体能效。该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块,适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计,为复杂电路提供可靠的开关控制能力。

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