SPW35N60C3-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:43A
参数2: 电压VDSS:650V
参数3: RDON:75mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有650V的漏源耐压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)低至75mΩ,有助于降低导通损耗并提升能效。高耐压特性使其适用于中高压功率转换场景,能够承受较大的电压应力。低导通电阻在大电流工作条件下可减少发热,提高系统热稳定性。该器件可应用于开关电源、逆变装置、电机驱动模块及高效率DC-AC转换电路,适合对功率密度、转换效率和运行可靠性有较高要求的电子产品设计,为复杂电源架构提供有效的开关控制支持。

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