TK35N65W5,S1F_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:43A
参数2: 电压VDSS:650V
参数3: RDON:75mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有650V的漏源额定电压(VDSS),可支持高电压工作环境,适用于主电路开关应用。其最大连续漏极电流(ID)为43A,导通电阻(RDON)为75mΩ,在同类器件中具备较好的导通性能,有助于减少功率损耗并提升能效。器件结合高电压耐受能力与较低的导通电阻,适用于开关电源、逆变装置、电机驱动电路及高效率DC-AC转换系统等场景,适合对热稳定性和功率密度有一定要求的电力电子设计。

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