BSC050N10NS5-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:100A
参数2: 电压VDSS:85V
参数3: RDON:4.3mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有85V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至4.3mΩ。低RDON有助于减小导通损耗,提升系统能效并降低温升。适用于高功率密度的电源转换应用,如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作,适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。

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