FDBL86063-F085-HXY_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TOLL
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流ID:300A
参数2: 电压VDSS:100V
参数3: RDON:2mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达300A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至2mΩ,显著降低大电流下的功率损耗。其优异的电学性能可支持高效率能量转换,适用于高功率密度的同步整流、电池供电系统及大电流直流开关电路。低RDON特性有助于减少发热,提升系统热稳定性,满足对电流承载能力和能效表现有严苛要求的应用场景,是处理极高电流负载的常用器件方案之一。

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