SIR170DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:120A
参数2: 电压VDSS:100V
参数3: RDON:3.6mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达120A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻仅为3.6mΩ。低RDON显著降低了导通损耗,有助于提高电源转换效率并减少散热需求。器件适用于高电流开关应用,如大功率电源模块、高效直流-直流变换电路、电池管理系统中的功率控制,以及对能效和热性能要求较高的设备。其电气特性支持稳定可靠的功率传输与管理。

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