IPD12CN10NGATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: 电流ID:70A
参数2: 电压VDSS:100V
参数3: RDON:8.2mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这是一款N沟道场效应管,具有100V的漏源电压(VDSS)和70A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至8.2mΩ。低RDON有助于减少导通状态下的功率损耗,提升系统整体能效。该器件适用于需要高效开关和负载管理的电源系统,可用于直流-直流转换、电机驱动以及高电流电源开关等场景,其性能表现能够满足对功率密度和热管理有较高要求的应用需求。

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