RS1G120MNTB-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:40A
参数2: 电压VDSS:40V
参数3: RDON:11mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具备40V漏源电压(VDSS)和40A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻典型值为11mΩ。较低的RDSON有助于减少高负载条件下的功率损耗,提升系统能效。器件适用于中等电压直流开关应用,如大功率电源管理模块、电池供电设备中的能量切换、高效DC-DC转换电路以及对热性能和空间布局有要求的紧凑型电子产品,可满足对稳定性和导通效率有一定需求的功率控制场景。

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