SQJ848EP-T1_GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:55A
参数2: 电压VDSS:40V
参数3: RDON:6.5mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有40V漏源电压(VDSS)和55A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至6.5mΩ,能有效降低大电流工作时的导通损耗。其低电阻特性有助于减少发热,提升系统能效和热稳定性。适用于高功率密度电源系统、便携式高能设备的功率控制、高效DC-DC转换器、电池管理系统中的开关模块,以及对导通效率和散热性能要求较高的电子设备,适合用于中等电压、大电流开关应用中的可靠功率切换。

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