NVMFS4C03NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:150A
参数2: 电压VDSS:30V
参数3: RDON:1.5mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款N沟道场效应管具有30V漏源电压(VDSS)和150A的连续漏极电流(ID),适用于高电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ,有效降低导通损耗,减少工作时的热量产生,提升系统能效。优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路,如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。器件具备良好的热稳定性和快速开关响应,支持高频运行,可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。

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