BSZ065N03LSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN3X3-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:40A
参数2: 电压VDSS:30V
参数3: RDON:5mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有30V漏源电压(VDSS)和40A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至5mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。低RDON特性使其在高电流工作条件下具备良好的热稳定性,适用于对能效和功率密度要求较高的电路设计。典型应用包括开关电源、同步整流模块、电池供电设备的电源管理单元以及电机驱动电路中的功率开关。该器件适合集成于紧凑型高功率电子装置,用于实现高效的直流-直流转换和负载控制,满足高性能便携式设备与通信系统对可靠功率切换的需求。

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