DMP3099LQ-13-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流ID:4.1A
参数2: 电压VDSS:30V
参数3: RDON:48mR
参数4: 沟道类型:P
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这是一款P沟道场效应管,具有30V的漏源电压(VDSS)和4.1A的连续漏极电流(ID),导通电阻为48mΩ。该器件适用于中等功率的开关控制场合,能够在较低的驱动电压下实现稳定的导通状态。凭借其合理的导通电阻与电流能力,可有效减少功率损耗,提升系统能效。常用于便携式设备电源管理、电池供电单元的充放电控制、直流负载开关以及各类嵌入式电子系统的电压切换电路中,满足对空间和效率有要求的应用需求。

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