SQD40031EL_GE3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: 电流ID:120A
参数2: 电压VDSS:30V
参数3: RDON:2.5mR
参数4: 沟道类型:P
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这是一款P沟道场效应管,具有30V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力,适用于高电流开关应用。其导通电阻低至2.5mΩ,在大电流工作条件下可有效降低导通损耗,提升系统效率。器件采用先进工艺制造,具备良好的热稳定性和开关特性,适合用于电源管理模块、直流电压转换、电池供电设备的负载开关以及各类高密度功率控制电路中,是实现高效能功率切换的优选器件。

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