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本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高纯度碳化硅材料，具备优异的耐高压与热导性能。其漏源导通电阻（RDON）为80毫欧，能在高频率与高电压环境下实现较低的导通损耗，提升整体能效。额定漏极电流（ID）为36A，适用于高功率密度电源系统。该器件具备快速开关特性与良好的稳定性，可广泛应用于高效电源变换、新能源发电设备及高频电力电子装置，为复杂应用场景下的电力系统提供坚实的技术支持。
