-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有60A的漏极电流能力，导通电阻为40mΩ，具备优异的导通与开关性能。基于碳化硅材料，器件在高温与高频工作条件下表现出良好的稳定性和较低的能量损耗，适用于高效电源转换、精密电机驱动及高功率密度电子系统的设计应用。结构设计优化，有助于提升系统整体能效与响应速度。