-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用N沟道结构，具备高电流承载能力，最大连续漏极电流（ID）可达165A，漏源击穿电压（VDSS）为1200V，确保在高压环境下稳定工作。导通电阻（RDON）低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件基于碳化硅材料打造，具备优异的热稳定性和开关性能，适用于高频率、高效率电力转换场景，如电源模块、储能系统及智能电网中的功率调节装置。