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本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用先进的碳化硅材料，具备优异的导热性和耐高压特性，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为36A，漏源击穿电压（VDSS）高达900V，导通电阻（RDON）低至65mΩ，器件类型为N沟道结构。该器件在设计上兼顾了低损耗与高可靠性，适用于电源适配器、储能系统、光伏逆变器及其他高性能电力电子设备，为复杂工况下的稳定运行提供保障。