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该N沟道场效应管具有1700V的漏源击穿电压和5A的持续漏极电流能力，导通电阻为800mΩ，栅源额定电压达±22V。器件基于硅基半导体工艺，具备良好的开关速度与热稳定性。适用于高压直流转换、开关电源、逆变电源及高功率密度电源模块等应用，其较高的耐压能力与适中的导通损耗使其在大功率电力变换电路中表现稳定，可用于构建高效能、高可靠性的功率转换系统，满足对体积与效率有要求的电路设计需求。