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这是一款N沟道碳化硅（SiC）场效应管，具有1700V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电压工作环境。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的开关速度和高温耐受能力，适用于高频开关电源、高压直流变换器、光伏逆变装置及高功率密度电源系统等对效率与热性能要求较高的应用场合。
