C3M0900170D-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:5A
参数2: 电压VDSS:1700V
参数3: RDON:800mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这是一款N沟道增强型场效应管,具有1700V的高漏源击穿电压(VDSS),可承受较高的电压应力,适用于高压开关场合。其连续漏极电流(ID)达5A,导通电阻(RDON)典型值为800mΩ,有助于降低导通损耗。栅源电压范围为±22V,具备较好的驱动兼容性。该器件适用于高压电源转换、开关电源、逆变器及高耐压需求的功率控制电路中,满足对效率与可靠性要求较高的设计场景。

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