LSIC1MO170E0750-HXY_TO-3PF_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:5A
参数2: 电压VDSS:1700V
参数3: RDON:800mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力,导通电阻为800mΩ,栅源电压范围支持±22V。采用碳化硅材料,器件具有优异的耐高压、耐高温性能及出色的开关速度,可显著降低开关损耗。其高热导率和抗辐射特性提升了在复杂电磁环境下的运行可靠性。适用于高效率电源转换系统,如大功率DC-DC变换器、不间断电源、光伏逆变装置及高频开关电源模块,适合对系统效率与功率密度有较高要求的电力电子设计应用。

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