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这是一款N沟道碳化硅（SiC）场效应管，具备1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可支持高压应用环境。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源额定电压为±22V，增强了栅极驱动的可靠性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关性能和高温工作能力，适用于高频、高效率的电源转换系统，如高压直流变换、开关电源、光伏逆变及高功率密度电源模块等应用。
