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这是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），支持5A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V，具备较强的驱动适应性与栅极可靠性。该器件适用于高电压开关电源、高压直流变换、逆变电路及功率调节装置，可在高电磁干扰环境下稳定工作，适用于对耐压能力与导通性能有要求的功率转换应用，满足多种高压场景下的电能控制需求。
