G2R1000MT17D-HXY_TO-3PF_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:5A
参数2: 电压VDSS:1700V
参数3: RDON:800mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高阻断电压和5A的持续漏极电流能力,导通电阻典型值为800mΩ,可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的耐压性能和开关特性,适用于高效率、高频率的电力转换场合。其高热导率和耐高温能力有助于提升系统在严苛环境下的稳定性。典型应用包括高压直流变换、大功率开关电源及要求紧凑设计与高可靠性的电力电子装置,适合对功率密度和能效有较高要求的系统集成。

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