SCT2H12NZGC11-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:5A
参数2: 电压VDSS:1700V
参数3: RDON:800mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这是一款N沟道增强型功率场效应管,具有1700V的高漏源击穿电压(VDSS),可持续通过5A的漏极电流(ID)。其导通电阻(RDON)典型值为800mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。栅源额定电压为±22V,具备较好的栅极驱动兼容性与可靠性。该器件适用于高电压、中等电流的开关电源、逆变系统及高压功率控制场合,能够满足对耐压与效率有较高要求的应用场景,是构建高压功率转换电路的优选器件之一。

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