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本产品为N沟道增强型碳化硅场效应管（MOSFET），采用宽禁带半导体材料，具备优异的高频与高温工作能力。其漏极电流ID可达81A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，导通电阻RDON低至21毫欧，显著降低导通损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、高效能量转换系统及高性能电力电子装置，支持小型化与高效率的设计需求。