-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。漏极电流ID可达81A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高功率密度电源系统。导通电阻RDON低至21毫欧，显著减少导通损耗，提升整体效率。器件适用于高频开关电源、高效能变换器及要求严苛的电力电子设备，满足对性能与可靠性兼具的应用需求。