-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，有效降低功耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、转换器、电池保护电路及高密度电力电子设备中的开关应用。封装形式可根据需求适配不同场景，满足多样化设计要求。