-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流承载能力和优异的导通性能，适用于多种功率电子应用。其主要参数包括：漏极电流ID为65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，可有效减少功率损耗并提升系统效率。器件结构设计优化，具有良好的热稳定性和耐高压特性，适合用于高效电源转换、电池充放电管理及高性能负载控制等场景，满足对可靠性和效率有较高要求的电路设计。