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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，适用于中高功率场合。导通电阻RD(on)低至5mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及各类电子设备中的电能转换与调节模块。
