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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5mΩ的导通电阻（RDON），可持续通过最高18A的漏极电流（ID）。器件采用高密度沟槽工艺，具备优异的导通性能与热稳定性，适用于高效率电源转换、同步整流、电池充放电管理及负载开关等应用。其低导通电阻显著降低功率损耗，提升系统整体能效，适合用于高性能电子设备中的功率控制模块。
