-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为7.5mΩ。该器件在导通状态下具有较低的电阻，有助于减少功率损耗并提升系统效率。适用于各类中高功率电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流电路、电池保护模块及高性能计算设备中的功率控制单元，满足对效率与空间布局有较高要求的电路设计需求。