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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为7.5mΩ。该器件适用于需要高效能功率管理的电子设备，能够在中高功率应用中实现较低的导通损耗，支持高频开关操作。由于其优异的电气性能和稳定性，可广泛用于电源转换、电机控制、储能系统及各类消费类电子产品中，为电路设计提供可靠的支持。