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本产品为N沟道场效应管（MOSFET），连续漏极电流ID为6A，漏源击穿电压VDSS为20V，适用于中低压功率控制应用。导通电阻RDON为22mΩ，在保证稳定性能的同时有效降低导通损耗。器件具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合用于小型电源模块、开关电路、电池供电设备及各类消费类电子产品的功率管理与转换电路中。