-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A连续漏极电流（ID）和100V漏源耐压（VDSS），满足中高功率应用需求。导通电阻（RDON）典型值为80mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体能效。器件采用通用封装形式，具备良好的散热性能与可靠性，适用于电源转换、开关控制、电机驱动及照明设备等多种电子系统，为电路设计提供高效且稳定的技术支持。