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本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具有良好的稳定性和耐用性，适用于各类中低功率电源转换、开关控制、电机驱动及便携式电子设备中的功率管理场景，满足多样化电路设计需求。
