-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22mΩ，有助于提升电路效率并减少发热。器件结构设计优化，具备良好的开关特性和热稳定性，适用于多种中低功率电源管理、开关电路、电池供电设备、消费类电子产品及嵌入式系统的功率控制应用。