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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为35mΩ，能够在高功率密度环境下实现较低的能量损耗。器件基于成熟工艺设计，具备良好的热稳定性与开关性能，适用于电源转换、储能系统、高频开关电路及多种电子设备中的功率控制场合，为电路设计提供高效且可靠的核心支持。
