-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5毫欧。该器件适用于需要高效功率控制的场景，能够提供良好的电气性能与热稳定性。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高系统整体效率。同时，30V的漏源耐压能力使其可胜任多种中低压功率应用环境。