-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的导通特性，导通电阻（RDON）低至7.5mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。漏源电压（VDSS）为30V，可持续承载15A漏极电流（ID），适用于多种中高功率电源管理与控制场景。器件基于成熟半导体工艺打造，具备良好的热稳定性与可靠性，适合应用于开关电源、电机驱动、负载开关及各类电子设备中的功率调节模块。