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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为7.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。其漏源电压（VDSS）为30V，持续漏极电流（ID）可达15A，适用于中高功率电源转换与控制场景。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、电机驱动、开关电路以及各类电子设备中的功率调节模块。
