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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备良好的开关特性和稳定性。其漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，适用于中低功率电源管理与开关控制场景。导通电阻RDON为7.5mΩ，在保证性能的同时有助于降低导通损耗。该器件可广泛应用于便携式电子设备、小型电源模块、LED驱动电路及各类高效能开关系统，适合对空间布局与能效表现有综合要求的设计应用。