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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与稳定的工作表现。其漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，确保在中功率应用中的可靠性。导通电阻RDON低至7.5mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于各类电源管理、开关电路及负载控制等场景，如电源适配器、储能系统、智能家电和通信设备中，满足高效、小型化设计需求。