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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，连续漏极电流ID可达75A，漏源击穿电压VDSS为100V，适用于中高功率电源管理系统。导通电阻RDON典型值为6.4mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类高效能转换设备中的开关应用。