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本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电气性能，漏源电压VDSS为100V，最大持续漏极电流ID可达75A，满足中高功率场景需求。导通电阻RD(on)低至6.4mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体效率。该器件适用于电源转换、开关控制、负载驱动及高效能电子系统，适合对热管理和电气性能有较高要求的设计。标准封装形式便于PCB布局与批量生产，是一款适用于多种通用工程应用的功率器件。