-------<点击了解更多 + 购买>-------
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源耐压（VDSS）与40A最大漏极电流（ID），适用于多种中高功率电路场景。其导通电阻低至20mΩ（RDON），有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能和长期可靠性，适合用于电源转换、电机驱动、LED照明以及智能家电等领域的开关与控制应用。
