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本产品为N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），具有较高的电压耐受能力和稳定的开关性能。主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压范围为±20V。适用于电源适配器、开关电源、LED驱动模块及各类中高电压电子设备中的高频开关应用，能够满足对效率与稳定性有较高要求的电路设计需求。