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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS），支持最大3.7A连续工作电流（ID）。导通电阻（RDON）为1000mΩ，栅源电压（VGS）可达20V，具备良好的开关性能与导通损耗控制。适用于高电压隔离、电源转换及功率调节等应用场景，提供稳定的高频开关表现。其结构设计优化了热稳定性和耐压能力，能够在多种电子系统中实现高效能的功率管理与控制。
