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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源耐压（VDSS），可持续通过最大3.7A的工作电流（ID），导通电阻（RDON）为1000mΩ，支持最高20V的栅源电压（VGS）。器件具备良好的开关特性和热稳定性，适用于高电压隔离、电源转换及功率调节等应用场景。其设计优化了高频工作下的损耗表现，能够在多种电子设备中实现高效、可靠的功率控制功能。
